0112

Samsung 20nm 製程 4Gb LPDDR3 行動裝置 DRAM 正式量產

Samsung 宣布採用 20nm 製程的 4Gb LPDDR3 行動裝置 DRAM 正式生產。

0112

Samsung 在 2013 年 4 月 30 日發出新聞稿,宣布首款 20nm 製程的 4Gb LPDDR3 行動裝置 DRAM 開始生產;若該記憶體正式運用於智慧型手機與平板電腦上,效能表現勢必有所提昇。

與 30nm 製程 LPDDR3 裝置相比,Samsung 聲稱該記憶體能帶來 30% 的效能提昇,並能節省 20% 的電量消耗,且並能在一秒內,同時傳輸三部總容量高達 17GB 的 Full HD 影片到 Samsung 處理晶片中。

藉著採用 Samsung 的 4Gb LPDDR3 行動裝置 DRAM,OEM 廠商可以利用 4 個 Samsung 的新晶片組成一個 2GB 容量的單一封裝,並符合記憶體封裝的 0.8mm 高度要求。

除了處理器越來越強悍,記憶體的表現也備受廠商矚目,相信在 2013 年中之後,我們就有機會可以看見搭載該 DRAM 的智慧型手機與平板電腦現身了!

Source

:: 相關文章 ::

關於 VR-Zone 中文

VR-Zone 中文成立於 2012 年初,是目前台灣成長最快的科技網站之一,編輯對 3C 科技擁有相當大的興趣,而主要讀者有硬體狂熱者、科技裝置愛用者、遊戲玩家,甚至是各原廠的產品經理以及研發人員。

Back to Top